本站原创摘要5-6
Abstract6-10
第1章 绪论10-24
1.1 引言10-11
1.2 薄膜晶体管的结构及工作原理11-12
1.2.1 薄膜晶体管的器件结构11
1.2.2 薄膜晶体管的工作原理11-12
1.3 薄膜晶体管的进展历程及近况12-17
1.3.1 薄膜晶体管进展历程12-13
1.3.2 薄膜晶体管的进展近况13-17
1.4 薄膜晶体管的类型及其性能比较17-19
1.4.1 薄膜晶体管的分类17-18
1.4.2 不同类型 TFT 的性能比较18-19
1.5 薄膜晶体管的主要运用19-21
1.5.1 TFT 在液晶显示器中的运用19-20
1.5.2 TFT 在传感器中的运用20-21
1.6 本论文的选题依据和主要内容21-24
第2章 薄膜晶体管的制备工艺与测试技术24-33
2.1 薄膜晶体管衬底的选择及清洗24-25
2.2 薄膜的制备工艺25-28
2.2.1 电子束蒸发法25-26
2.2.2 磁控溅射法26-27
2.2.3 化学气相沉积法27-28
2.3 薄膜晶体管的测试技术28-32
2.3.1 半导体参数浅析仪28-29
2.3.2 阻抗浅析仪29-30
2.3.3 霍尔效应浅析仪30
2.3.4 紫外可见分光光度计30-31
2.3.5 扫描电子显微镜31
2.3.6 X 射线衍射仪31-32
2.4 本章小结32-33
第3章 低压双电荷层 ITO 薄膜晶体管33-40
3.1 ITO 薄膜晶体管的制备33-34
3.1.1 器件结构33
3.1.2 器件的制备历程33-34
3.2 器件各层薄膜的形貌结构浅析34-36
3.2.1 ITO 薄膜的形貌结构浅析34-35
3.2.2 SiO_2薄膜的形貌结构浅析35-36
3.3 ITO 薄膜晶体管的性能浅析36-37
3.4 ITO 薄膜晶体管的低压工作原理37-39
3.5 本章小结39-40
第4章 一步掩膜法制备 ITO 纸上柔性薄膜晶体管40-49
4.1 引言40-41
4.2 实验材料和实验设备41
4.3 一步掩膜法晶体管的制备历程41-42
4.4 器件的的性能浅析42-48
4.4.1 ITO 沟道和电极的形貌及电学特性浅析42-43
4.4.2 纸上 SiO_2的形貌及电学特性浅析43-45
4.4.3 纸上 ITO TFT 的电学性能浅析45-47
4.4.4 纸上 ITO TFT 弯曲后的电学性能浅析47-48
4.5 本章小结48-49
结论49-50