探究电阻率PCVD法制备N掺杂n型金刚石薄膜与特性查抄袭率

中文摘要4-5

Abstract5-6

目录6-8

第1章 绪论8-10

1.1 金刚石的结构8-9

1.2 金刚石的性质与运用9-10

第2章 人工合成金刚石的原理和策略10-19

2.1 人工合成金刚石的历史10-11

2.2 CVD 金刚石膜的生长论述11-14

2.2.1 CVD 金刚石膜的生长历程11-13

2.2.2 影响 CVD 金刚石膜生长因素13-14

2.3 CVD 金刚石膜的制备策略14-16

2.4 CVD 金刚石薄膜掺杂探讨16-17

2.5 论文的选题及主要探讨内容17-19

第3章 不同 N 源制备金刚石薄膜的探讨19-28

3.1 直流热阴极辉光等离子体化学气相沉积（PCVD）装置19-20

3.2 CVD 金刚石膜的主要表征手段20-22

3.2.1 扫描电子显微镜（SEM）表征20

3.2.2 激光拉曼光谱（Raman Shift）表征20-21

3.2.3 X 射线衍射仪(XRD)表征21-22

3.2.4 霍尔表征（Hall）22

3.3 N 源气体探讨22-28

3.3.1 氮源性质介绍24-25

3.3.2 扫描电子显微镜（SEM）表征25

3.3.3 激光拉曼光谱（Raman Shift）表征25-26

3.3.4 X 射线衍射仪(XRD) 表征26-28

第4章 NH_3对 N 掺杂金刚石薄膜制备及电学性质影响28-43

4.1 氨气流量对金刚石薄膜的影响28-33

4.1.1 扫描电子显微镜（SEM）表征28-30

4.1.2 激光拉曼光谱（Raman Shift）表征30-31

4.1.3 X 射线衍射仪(XRD) 表征31-32

4.1.4 NH_3浓度对金刚石膜电学性能的影响32-33

4.2 基片温度对掺 N 金刚石薄膜的影响33-38

4.2.1 扫描电子显微镜（SEM）表征34-35

4.2.2 激光拉曼光谱（Raman Shift）表征35-36

4.2.3 X 射线衍射仪(XRD) 表征36-37

4.2.4 基片温度对金刚石膜电学性能的影响37-38

4.3 反应压强对掺 N 金刚石薄膜的影响38-40

4.3.1 扫描电子显微镜（SEM）表征38-39

4.3.2 激光拉曼光谱（Raman Shift）表征39

4.3.3 X 射线衍射仪(XRD) 表征39-40

4.3.4 压强对金刚石膜电学性能的影响40

4.4 均匀性探讨40-41

4.5 NH_3+CH_4+H_2气氛下纳米金刚石膜的制备工艺探讨41-43

结论43-44