本站原创摘要6-8
ABSTRACT8-13
第一章 绪论13-28
1.1 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶13-14
1.2 Ⅱ-Ⅵ族量子点的类型14-19
1.2.1 核壳结构14-16
1.2.2 合金结构16-18
1.2.3 金属离子掺杂结构18-19
1.3 量子点和纳米晶的运用19-22
1.3.1 生物医学19-20
1.3.2 光电材料20-22
1.3.2.1 光致发光器件(LED)20-21
1.3.2.2 太阳能电池21
1.3.2.3 远程通讯放大器21-22
1.4 量子点和纳米晶的制备策略22-24
1.4.1 金属有机化学法22-23
1.4.2 水相回流合成法23-24
1.4.3 SnS纳米晶的制备策略24
1.5 热注入法合成机理24-25
1.6 本论文选题思路25-28
第二章 水溶性CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的制备与性质28-48
2.1 引言28
2.2 实验部分28-32
2.2.1 主要试剂29
2.2.2 实验仪器29
2.2.3 量子点的制备29-31
2.2.4 表征策略31-32
2.2.4.1 X射线粉末衍射(XRD)31
2.2.4.2 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)31
2.2.4.3 荧光发射光谱(FL)31
2.2.4.4 透射电子显微镜(TEM)31-32
2.3 结果与讨论32-47
2.3.1 硒与碲不同摩尔比例对CdSe_xTe_(1-x)量子点的光学性质和结构的影响32-36
2.3.1.1 紫外-可见吸收光谱32-33
2.3.1.2 荧光发射光谱33-34
2.3.1.3 X射线粉末衍射光谱34-36
2.3.2 pH值对CdSe_xTe_(1-x)量子点的荧光性质影响36-38
2.3.3 回流时间对CdSe_xTe_(1-x)和CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响38-40
2.3.4 ZnS层数对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响40-41
2.3.5 硒与碲摩尔比对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响41-42
2.3.6 硫源种类对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响42-44
2.3.7 陈化时间对CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的荧光性质影响44-46
2.3.8 CdSe_xTe_(1-x)/ZnS量子点的形貌46-47
2.4 小结47-48
第三章 SnS纳米晶的制备及性质48-65
3.1 引言48-49
3.2 实验部分49-51
3.2.1 主要试剂49
3.2.2 实验仪器49-50
3.2.3 SnS纳米晶和SnS薄膜的制备50-51
3.2.4 表征策略51
3.2.4.1 X射线粉末衍射(XRD)51
3.2.4.2 紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-Vis-NIR)51
2.2.4.3 透射电子显微镜(TEM)51
3.3 结果与讨论51-63
3.3.1 SnS的X射线粉末衍射光谱51-52
3.3.2 SnS溶液的紫外-可见-近红外吸收光谱52-53
3.3.3 油酸和油胺的体积比对合成SnS的影响53-55
3.3.4 反应温度对合成SnS的影响55
3.3.5 前驱体浓度对合成SnS纳米晶的影响55-58
3.3.6 前驱体摩尔比例对合成SnS纳米晶的影响58-59
3.3.7 SnS薄膜的光电化学性质59-63
3.3.7.1 煅烧对SnS薄膜和SnS纳米晶的影响59-60
3.3.7.2 SnS薄膜的循环伏安性质60-61
3.3.7.3 SnS薄膜的线性扫描伏安性质61-62
3.3.7.4 煅烧温度对SnS薄膜的光电流影响62-63
3.4 小结63-65
第四章 结论与展望65-67
4.1 结论65-66
4.2 展望66-67